Jako wiodący dostawca rozwiązań z branży nanotechnologii o szerokim zakresie zastosowań, Oxford Instruments poinformował o opracowaniu i uruchomieniu nowego procesu trawienia SiC przy użyciu plazmy. Proces został w całości rozwinięty i dokładnie opracowany przez specjalistów aplikacyjnych firmy używających do tego celu wysokiej klasy systemu PlasmaPro100 Polaris.

Znaczenie materiału jakim jest węglik krzemu stale rośnie, zwłaszcza na arenie wysokowydajnych urządzeń GaN RF, wykorzystujących SiC jako podłoże. Oxford Instruments opracował idealne rozwiązanie dla wytrawiania wysokiej jakości otworów w SiC. W połączeniu z niskimi uszkodzeniami GaN za pomocą tego samego urządzenia, PlasmaPro100Polaris, oferuje wyjątkowe możliwości dla procesów plazmowego wytrawiania urządzeń RF opartych na GaN.

SiC

Obraz SEM pokazujący gładkość SiC uzyskaną poprzez trawienie.

Opracowana technologia oferuje kilka możliwości dostosowanych do otworów w SiC poprzez zastosowanie:

  • Wysokiej szybkości trawienia SiC umożliwiając tym samym maksymalną wydajność
  • Gładkie ściany boczne dla bezproblemowej metalizacji po procesie trawienia
  • Wysoką selektywność w stosunku do podstawowej warstwy GaN co sprzyja otrzymywaniu idealnej gładkości materiału
  • Mocowanie szafirowych nośników korzystając z unikalnej opatentowanej technologii firmy Oxford Instruments, zapewniającej idealną temperaturę preparatu i polepszającej rezultat końcowy procesu
  • Zdolność trawienia SiC i GaN w tym samym urządzeniu dzięki zaawansowanej technologii źródła plazmy
  • Wysoką użytkowość systemu zapewnioną przez znikomy czas potrzebny na czyszczenie i konserwację ( ang. long MTBC)

Oxford Instruments dostarcza wiodące na świecie systemy plazmowe, oraz oferuje bibliotekę ponad 6000 receptur technologicznych, wszystkie zostały opracowane przez globalną sieć wsparcia i serwisu.