Technologia IBD pozwala na osadzanie cienkich warstw poprzez wykorzystanie szerokiej wiązki jonów dodatnich oraz systemu wysoko próżniowego. Wiązka jonów uderza w obiekt z materiałem źródłowym rozpylając go. Ten następnie pokrywa substrat odpowiednio pochylony w kierunku naszego źródła. Właściwości naniesionego filmu zależą od  rodzaju materiału źródłowego, od parametrów wiązki jonów (strumień, energia, itp.) jak również od odpowiedniego ustawienia wszystkich elementów biorących udział w procesie. Cały proces zachodzi w odpowiednim ciśnieniu (pod próżnią).

 


Urządzenia


Ionfab 300 IBD

Our ion beam deposition products are chosen for their ability to produce deposited films with high quality, dense and smooth surfaces. Ion beam technology provides an exceptionally versatile approach to etch and deposition by offering a single tool and maximising system utilisation. Our systems have flexible hardware options including open load, single substrate load lock and cassette to cassette. System specifications are closely tuned to applications, enabling faster and repeatable process results.

  • Multiple mode functionality
  • Capable of clustering with other plasma etch and deposition tools
  • Single wafer loadlock or cluster wafer handling
  • Dual-beam Configuration
  • Very low surface film roughness
  • Unmatched batch uniformity and process reproducibility
  • Accurate end point detection – SIMS, optical emission