PECVD_webChemiczne osadzanie z fazy gazowej ze wspomaganiem plazmowym PECVD

Jest jedną z odmian CVD, bardzo atrakcyjną ze względu na niską temperaturę procesu, możliwość osadzania nierównowagowych faz oraz lepszą kontrolę nad stechiometrią i czystością pokryć.

Dzięki użyciu plazmy jesteśmy w stanie wzbudzić cząsteczki mieszaniny gazowej do energii zgodnej z energią jaką normalnie otrzymujemy przy pomocy wysokiej temperatury, bez konieczności silnego podgrzewania substancji. Korzyścią płynącą z tej techniki jest chociażby rozszerzenie zbioru materiałów, które chcemy pokrywać (materiały wrażliwe na wysokie temperatury).
Plazma generowana jest w polu elektrycznym między dwiema równoległymi płytkami, z których jedna jest katodą, a druga, na której znajdują się podłoża, jest uziemiona.


Urządzenia


PlasmaPro 80 PECVD

The PlasmaPro 80 is a compact, small footprint system offering versatile etch and deposition solutions with convenient open loading. It is easy to site and easy to use, with no compromise on process quality. The open load design allows fast wafer loading and unloading, ideal for research, prototyping and low-volume production. It enables high performance processes using optimised electrode cooling and excellent substrate temperature control.

  • Open load design allows fast wafer loading and unloading
  • Excellent etch control and rate determination
  • Excellent wafer temperature uniformity
  • Up to 200mm wafers
  • Low cost of ownership
  • Built to Semi S2/S8 standards

PlasmaPro 100 PECVD

The PECVD process modules are specifically designed to produce excellent uniformity and high rate films, with control of film properties such as refractive index, stress, electrical characteristics and wet chemical etch rate.

  • High quality films, high throughput, excellent uniformity
  • Wide temperature range electrode
  • Compatible with all wafer sizes up to 200mm
  • Rapid change between wafer sizes
  • Low cost of ownership and ease of serviceability
  • Resistive heated electrodes with capability up to 400°C or 1200°C
  • In-situ chamber cleaning and end-pointing

PlasmaPro 800 PECVD

The PlasmaPro 800 offers a flexible solution for Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD) processes on large wafer batches and 300mm wafers, in a compact footprint, open-loading system. The large wafer platen allows for production scale batch processing and 300mm wafer handling.

  • High performance processes
  • Excellent substrate temperature control
  • Precise process control
  • Proven processes for 300mm single wafer Failure Analysis
  • High performance processes
  • Excellent substrate temperature control
  • Precise process control