Trawienie - Deep Reactive Ion Etching

OXFORD INSTRUMENTS

01

DEEP REACTIVE ION ETCHING

Głębokie trawienie jonami reaktywnymi DRIE (ang. Deep Reactive Ion Etching) jest wysoce anizotropowym procesem trawienia wykorzystywanym do dużych szybkości trawienia, stromych otworów i rowów w płytkach, zwykle o wysokim współczynniku kształtu. Zostało ono opracowane dla systemów mikroelektromechanicznych (MEMS) i kondensatorów o wysokiej gęstości DRAM. Technologia DRIE była w dużej mierze odpowiedzialna za umożliwienie demonstracji technologii na skalę laboratoryjną, aby stały się produkowalnymi i dochodowymi produktami konsumenckimi. Ponieważ aplikacje korzystające z technologii DRIE stale się rozwijają i ewoluują, pojawiają się nowe wymagania i otwierają ekscytujące możliwości rozwoju DRIE.

Istnieją dwie główne technologie wysokowydajnego DRIE: kriogeniczny i Bosch, chociaż proces Bosch jest jedyną szeroko stosowaną techniką produkcji. Zarówno procesy Bosch, jak i krio mogą wytwarzać ściany 90°, ale często także ściany lekko zwężone, np. 88° lub 92°.

Platforma PlasmaPro 100 Estrelas została zaprojektowana w celu zapewnienia całkowitej elastyczności dla aplikacji Deep Silicon Etch (DSiE) – obsługując różnorodny zestaw wymagań procesowych na rynkach systemów mikroelektromechanicznych (MEMS), zaawansowanych opakowań i nanotechnologii. PlasmaPro 100 Estrelas opracowano z myślą zarówno o rynku badań, jak i produkcji. Urządzenie to oferuje najwyższą elastyczność procesu.

Główne cechy urządzenia:

  • Szeroki zakres zastosowań,
  • Mocowanie mechaniczne lub elektrostatyczne,
  • Podgrzewane wkładki,
  • Poprawiona odtwarzalność,
  • Wydłużony średni czas między czyszczeniami (MTBC).