Nanoszenie powłok - Chemical Vapour Deposition (CVD)

OXFORD INSTRUMENTS

01

CHEMICZNE OSADZANIE Z FAZY GAZOWEJ

 

CVD, Chemical Vapour Deposition, czyli chemiczne osadzanie z fazy gazowej to proces nakładania powłok. Metoda polega na rozpyleniu substratów do nakładania powłoki, które następnie osadzają się na podłożu, na którym zachodzą reakcje chemiczne pozwalające pokryć przedmiot cienką warstwą materiału. Proces odbywa się w warunkach wysokiej temperatury dochodzącej nawet do 1100oC.

Utworzenie powłoki na powierzchni przedmiotów zwiększa ich trwałość i odporność na czynniki zewnętrzne, takie jak zarysowania i tarcie oraz chroni je przed korozją. Te właściwości sprawiły, że jest to metoda chętnie wykorzystywana w przemyśle obróbki metali do powlekania narzędzi skrawających i przeznaczonych do obróbki plastycznej oraz w przemyśle elektronicznym.

Wyróżnia się kilka technik chemicznego osadzania warstw z fazy gazowej, są to metody tradycyjne i wspomagane. Metody tradycyjne odbywają się w warunkach ciśnienia atmosferycznego lub obniżonego do 10-500 hPa. Wymagają najwyższej temperatury, bowiem powierzchnie powlekane rozgrzewane są od 900 do 1100oC. Metody wspomagane to nowoczesne sposoby chemicznego osadzania warstw, wyróżnia je przede wszystkim możliwość wykonania procesu w niższych temperaturach. Pozwala to powlekać przedmioty, które nie mogą być poddane obróbce metodami tradycyjnymi.

CECHY CHARAKTERYSTYCZNE URZĄDZEŃ CVD OXFORD INSTRUMENTS

 

  • powłoka osadzana jest bezpośrednio na elektrodzie, która może być podgrzewana do około 1200˚C,
  • gaz wtryskiwany do komory procesowej przez wlot gazu przez „głowicę prysznicową” w górnej elektrodzie,
  • system dostarczania prekursorów ciał stałych / płynów do nowatorskich procesów, takich jak materiały 2D MOCVD, nanodruty ZnO itp.,
  • automatyczna blokada obciążenia, aby przenieść próbkę bezpośrednio na gorący stół i zaoszczędzić czas na ogrzewaniu i chłodzeniu,
  • opcje zwiększania plazmy do osadzania w niższej temperaturze lub wspomaganej plazmą konwersji lub funkcjonalizacji, a także czyszczenia komory,
  • możliwy szeroki zakres procesów w tej samej komorze.

Nanofab jest narzędziem dedykowanym do osadzania CVD / PECVD nanomateriałów 1D, 2D i heterostruktur. Nanofab zapewnia wysoką wydajność wzrostu nanomateriałów z aktywacją katalizatora in situ i rygorystyczną kontrolą procesu.

Cechy charakterystyczne urządzenia:

 

  • doskonała jednorodność osadzanych powłok przy temperaturach do 1200 °C (700 °C, 800 °C lub 1200 °C),
  • wielkość próbki do 200 mm,
  • blokada załadunku – szybka wymiana próbek,
  • specjalna konstrukcja zimnej ściany z równomiernym dostarczaniem prekursora,
  • opcjonalny system dostarczania źródła ciecz/ciało stałe do wzrostu MoS2, MoSe2 i innych.