Oxford Instruments
Ion beam etching (IBE)
Menu
Ion beam etching (IBE)
Podczas trawienia wiązką jonów IBE (ang. Ion Beam Etching) elektrony emitowane z termokatody wykonują po torach spiralnych ruchy na skutek obecności pola magnetycznego. W wyniku zderzeń z atomami gazu roboczego jonizują je i tym samym powodują powstanie plazmy. Aby nie dopuścić do elektrostatycznego ładowania się powierzchni trawionej (mogłoby to spowodować zahamowanie procesu trawienia w przypadku dielektryków), jak również zniwelować tendencje jonów do rozbiegania się w wiązce, na ich drodze ustawiona jest druga termokatoda, która emituje chmurę niskoenergetycznych elektronów.
Płytki mocowane są na podstawie suportu którego oś montowana jest pod pewnym kątem do kierunku wiązki. Dzięki tym zabiegom skuteczność trawienia jest zwiększona oraz zmniejszone jest prawdopodobieństwo zanieczyszczenia jednej płytki materiałem z drugiej.
Trawienie wiązką jonową można przeprowadzać na dwa sposoby: stosując jony obojętne, lub stosując RIBE do reaktywnych jonów w celu przyspieszenia trawienia materiału.
Zalety IBE
- Umożliwia niezależną kontrolę energii wiązki i strumienia jonów,
- Proces odbywa się w obniżonym ciśnieniu,
- Powoduje wytrawianie anizotropowe,
- Umożliwia trawienie wszystkich znanych materiałów,
- Umożliwia kontrolę profilu pod kątem dzięki zmiennemu kątowi trawienia w stosunku do powierzchni próbki/maski,
- RIBE umożliwia wyższą szybkość trawienia i wyższą selektywność trawienia różnych materiałów np. InP trawiony chlorem.
Potrzebujesz informacji?
Zostaw swój kontakt, odezwiemy się
Ionfab 300 IBE
Trawienie jonowe oferuje maksymalną elastyczność w połączeniu z doskonałą jednorodnością i nadaje się do szerokiego zakresu zastosowań. Systemy Oxford Instruments mają elastyczne opcje sprzętowe, w tym otwarte ładowanie, blokadę ładowania pojedynczego podłoża i możliwość użycia całej kasety. Specyfikacje systemu są ściśle dostosowane do aplikacji, umożliwiając szybsze i powtarzalne wyniki procesu.
Podstawowe cechy urządzenia Ionfab 300 IBE to:
- Funkcja wielu trybów,
- Możliwość łączenia z innymi narzędziami do wytrawiania plazmowego i osadzania,
- Loadlock pojedynczego wafla lub zestawu wafli,
- Zastosowanie podwójnej wiązki,
- Bardzo niska chropowatość powierzchni,
- Niezrównana jednorodność partii i odtwarzalność procesu,
- Dokładne wykrywanie punktu końcowego – SIMS, emisja optyczna.
