ALE (z ang. Atomic Layer Etching) jest techniką usuwania cienkich warstw materiału, za pomocą kolejnych, samokontrolujących się reakcji. Ze względu na zapotrzebowanie na tego typu metodę, chociażby przez przemysł półprzewodnikowy, naukowcy przez ponad 25 lat pracowali nad jej ostatecznym dopracowaniem. Finalnie procesy ALE zostały określone i zoptymalizowane przez specjalistów aplikacyjnych firmy Oxford Instruments w połowie roku 2016. Poskutkowało to natychmiastowym wprowadzeniem technologii na rynek aparaturowy. Obecnie ALE zaczyna cieszyć się coraz większą popularnością w Europie Zachodniej jak również Ameryce. Stanowi bowiem doskonałą alternatywę dla ciągłego trawienia, gwarantująca dokładność wytrawiania na poziomie atomowym, tak jak ALD (z ang. Atomaic Layer Deposition) w przypadku procesów depozycji.

Zalety ALE:

  • ALE znajduje zastosowanie w trawieniu ultra cienkich warstw (sub nano / nano)
  • Konwencjonalne suche trawienie wymaga ciągłej amorfizacji kilku warstw atomowych i reakcji chemicznych w tych warstwach
  • ALE umożliwia wysoce selektywne, oraz praktycznie „nieniszczące” trawienie (wysoka selektywność i jednorodność powierzchni po trawieniu)

Si ALE

si-ale

Trawienie krzemu wykorzystuje dwa niezależne, samokontrolujące się etapy procesu:

  • wystawienie powierzchni Si na działanie niewielkiej kontrolowanej dawki Cl2
  • usuwanie tylko SiClx z powierzchni; poprzez bombardowanie jonami o niskiej energii

si-ale3


Urządzenia


PlasmaPro 100 ALE

As layers become thinner to enable the next generation semiconductor devices there is a need for ever more precise process control to create and manipulate these layers. The PlasmaPro 100 ALE delivers this through specialised hardware including:

  • Precise control of gas dose
  • Excellent repeatability of low power RF delivery
  • Rapid switching enabled by fast PLC

All these combine to enable etching with accuracy at the atomic scale.