Oxford Instruments

Indictively Coupled Plasma Chemical Vapour Deposition (ICP CVD)

ICP CVD jest procesem osadzania cienkich filmów z fazy gazowej na podłożu ze wspomaganiem plazmowym. W porównaniu do klasycznego CVD termicznego, w tym przypadku katalizatorem reakcji jest plazma a nie temperatura. Poszerza to możliwości jeśli chodzi o materiały pokrywanych podłoży; jak również poprawia możliwości kontrolowania stechiometrii i czystości powierzchni
oraz wytwarzania warstw nierównowagowych. Proces ten składa się z reakcji chemicznych które występują po utworzeniu plazmy z gazów reakcyjnych. Plazma otrzymywana jest pod wpływem
przemiennego pola elektromagnetycznego wysokiej częstości przy odpowiednio niskim ciśnieniu.

6df18258150341173673448549910554565.12eb7ea652aeb91aec2cc00027bcdcea

PlasmaPro 80 ICPCVD

PECVD_LR.7244a25b9d83a39330fb8d4074580eec

PlasmaPro 100 ICPCVD

Potrzebujesz informacji?

Zostaw swój kontakt, odezwiemy się
PlasmaPro 80 ICPCVD

PlasmaPro 80 to kompaktowy system zajmujący niewiele miejsca, a oferujący szerokie zastosowania w procesach trawienia i osadzania powłok. Dzięki specjalnej konstrukcji daje możliwość wygodnego załadunku płytek bez uszczerbku dla jakości procesu. Jest to idealne rozwiązanie do badań, prototypowania i produkcji małoseryjnej. PlasmaPro 80 ICPCVD umożliwia przeprowadzanie wydajnych procesów z wykorzystaniem zoptymalizowanego chłodzenia elektrod i doskonałej kontroli temperatury podłoża.

Główne cechy urządzenia:

  • Otwarta konstrukcja załadunku pozwala na szybki załadunek i rozładunek płytek,
  • Możliwość dokładnej kontroli procesu wytrawiania i określania szybkości,
  • Równomierny rozkład temperatury płytek,
  • Wielkość płytek do 200 mm,
  • Niski koszt utrzymania,
  • Zbudowany zgodnie ze standardami SEMI S2/S8.
PlasmaPro 100 ICPCVD

Ten moduł procesowy ICPCVD został zaprojektowany do wytwarzania wysokiej jakości powłok w niskich temperaturach. Jest to możliwe dzięki zastosowaniu plazmy o wysokiej gęstości, która umożliwia osadzanie doskonałej jakości powłok nie uszkadzając podłoża.

Główne cechy urządzenia:

  • Doskonała jednorodność, wysoka wydajność i wysoka precyzja procesów,
  • Elektroda o szerokim zakresie temperatur,
  • Kompatybilny ze wszystkimi rozmiarami płytek do 200 mm,
  • Szybka zmiana między rozmiarami płytek,
  • Niski koszt zakupu i łatwość serwisowania,
  • Kompaktowy rozmiar, elastyczny układ,
  • Rezystywne podgrzewane elektrody do 400 °C lub 1200 °C,
  • Możliwość czyszczenie komory in situ,
  • Elastyczny moduł transportu par umożliwiający osadzanie powłok z wykorzystaniem ciekłych prekursorów TiO2 przy użyciu TTIP, SiO2 przy użyciu TEOS.

Aplikacje

W budowie

Technolutions sp. z o. o.

Otolice 38

99-400 Łowicz

 

 

tel.: +48 606 440 718

e-mail: kontakt@technolutions.pl

Technolutions 2020 © wszelkie prawa zastrzeżone