Oxford Instruments
Indictively Coupled Plasma Chemical Vapour Deposition (ICP CVD)

ICP CVD jest procesem osadzania cienkich filmów z fazy gazowej na podłożu ze wspomaganiem plazmowym. W porównaniu do klasycznego CVD termicznego, w tym przypadku katalizatorem reakcji jest plazma a nie temperatura. Poszerza to możliwości jeśli chodzi o materiały pokrywanych podłoży; jak również poprawia możliwości kontrolowania stechiometrii i czystości powierzchni
oraz wytwarzania warstw nierównowagowych. Proces ten składa się z reakcji chemicznych które występują po utworzeniu plazmy z gazów reakcyjnych. Plazma otrzymywana jest pod wpływem
przemiennego pola elektromagnetycznego wysokiej częstości przy odpowiednio niskim ciśnieniu.
PlasmaPro 80 to kompaktowy system zajmujący niewiele miejsca, a oferujący szerokie zastosowania w procesach trawienia i osadzania powłok. Dzięki specjalnej konstrukcji daje możliwość wygodnego załadunku płytek bez uszczerbku dla jakości procesu. Jest to idealne rozwiązanie do badań, prototypowania i produkcji małoseryjnej. PlasmaPro 80 ICPCVD umożliwia przeprowadzanie wydajnych procesów z wykorzystaniem zoptymalizowanego chłodzenia elektrod i doskonałej kontroli temperatury podłoża.
Ten moduł procesowy ICPCVD został zaprojektowany do wytwarzania wysokiej jakości powłok w niskich temperaturach. Jest to możliwe dzięki zastosowaniu plazmy o wysokiej gęstości, która umożliwia osadzanie doskonałej jakości powłok nie uszkadzając podłoża.