Wzrost MoS2 i związane z nim dichalkogenki metali przejściowych 2D

01
  • aplikacje
    Wzrost MoS2 i związane z nim dichalkogenki metali przejściowych 2D

Oxford Instruments oferuje system (PE)CVD wyposażony w moduły dostarczania prekursora dla wzrostu dwuwymiarowych warstw materiałów takich jak: MoS2, WS2 etc.

Wysoka jakość otrzymanej warstwy siarczku molibdenu (MoS2), potwierdzona została przez AFM oraz spektroskopie Ramana.

Zastosowanie AFM do badań jakości potwierdziło wysoki stopień jednorodności otrzymanej warstwy, natomiast spektroskopia Ramana wskazuje, że została osadzona monowarstwa MoS2 z charakterystycznymi sygnałami odległymi od siebie o 21,1 cm-1.

System zapewnia:

  • równomierne pokrycie warstwą 2D MoS2 o kontrolowanej grubości
  • depozycję z wykorzystaniem CVD z lotnych prekursorów Mo i H2S
  • kompatybilność dla innych dichalkogenków metali przejściowych (TMDC)