Jednorodne powłoki aktywne ogniw słonecznych

Technologia natryskiwania ultradźwiękowego jest skuteczną metodą osadzania cienkowarstwowych powłok ogniw słonecznych, warstw antyrefleksyjnych, powłok TCO, warstw buforowych, PEDOT i warstw aktywnych w produkcji cienkowarstwowych ogniw słonecznych. OPV, CIGs, CdTE, CzTs, Perowskity i DSC to tylko niektóre z roztworów i zawiesin, które można osadzać za pomocą ultradźwiękowej technologii natryskiwania na mokro w procesie produkcji cienkowarstwowych ogniw słonecznych. Ultradźwiękowe systemy natryskowe zmniejszają koszt produkcji cienkowarstwowych ogniw słonecznych, jednocześnie zapewniając wysoką wydajność ogniw.

Sono-Tek odgrywa ważną rolę w przenoszeniu sprawdzonych procesów badawczo-rozwojowych osadzania powłok do dużej skali produkcyjnej.

Warstwy buforowe i organiczne
Typowe materiały osadzane przy użyciu urządzeń Sono-Tek to:

• CdS – warstwa buforowa stosowana w ogniwach CIGS i CDTe
• Ogniwa organiczne – PEDOT, PCBM, P3HT, P3HD

Warstwy TCO

TCO (transparentne tlenki przewodzące) składające się z metali rozpuszczonych w roztworze o wysokich właściwościach przewodzących i przezroczystych. Materiały te czasami nakładane są w wysokich temperaturach w reakcji pirolizy i często wymagają wyżarzania w wysokiej temperaturze około 500 °C. Warstwy TCO wymagające wysokiej temperatury są zwykle powlekane przy użyciu techniki ultradźwiękowej pirolizy z rozpylaniem.

Urządzenia Sono-Tek można wykorzystać do osadzania takich materiałów, jak:

• ITO
• ZnO (domieszkowane Ga, Al, In)
• CdO
• SnO2

CNT / Nanodruty srebra (AGNW) / Grafen
CNT mogą potencjalnie zastąpić ITO w warstwach TCO ze względu na doskonałą przyczepność i wyjątkowo wysoką przewodność. Dysze ultradźwiękowe Sono-Tek nadają się idealnie do osadzania tych nanomateriałów ze względu na deaglomerację cząstek podczas procesu atomizacji. Drgania ultradźwiękowe utrzymują jednorodność cząstek w roztworze.

Powłoki antyrefleksyjne (AR)
Powłoki AR zwiększają wydajność ogniw słonecznych o 3-4%. Sono-Tek umożliwia osadzanie:

• SiO2
• TiO2