Nanoszenie powłok - Ion Beam Deposition (IBD)

OXFORD INSTRUMENTS

ZOBACZ WIĘCEJ
01

Technologia IBD pozwala na osadzanie cienkich warstw poprzez wykorzystanie szerokiej wiązki jonów dodatnich oraz systemu wysokiej próżni. Wiązka jonów uderza w obiekt z materiałem źródłowym rozpylając go. Ten następnie pokrywa substrat odpowiednio pochylony w kierunku źródła. Właściwości naniesionej powłoki zależą od  rodzaju materiału źródłowego, parametrów wiązki jonów (strumień, energia, itp.) jak również od odpowiedniego ustawienia wszystkich elementów biorących udział w procesie. Cały proces zachodzi pod odpowiednim ciśnieniem (w próżni).

Zalety IBD

Osadzanie warstw z wykorzystaniem wiązki jonów w porównaniu z innymi metodami tworzenia warstw jest kosztowna, jednak jej parametry zapewniają wysoką jakość. Wśród najważniejszych zalet procesu IBD wyróżnia się dużą precyzję nakładanych warstw, która jest najwyższa spośród pozostałych znanych metod nanoszenia warstw. Dzięki temu możliwa jest dokładna kontrola grubości i jednorodności warstw, dlatego IBD wykorzystywane jest do nakładania bardzo cienkich powłok. Dodatkowo zapewnia trwałość i stabilność warstw osiągalną dzięki dużej gęstości, jest to doskonałe rozwiązanie dla materiałów wykorzystywanych w specjalnych warunkach. Proces IDB zapewnia niską absorpcję i rozpraszanie. Jest to również proces łatwy do zautomatyzowania, dlatego mimo sporych kosztów wytwarzania warstw, charakteryzuje się wydajnością.
 
Proces IBD stosowany jest do powlekania warstw półprzewodnikowych oraz w optyce do tworzenia warstw antyrefleksyjnych.

Nasze produkty do osadzania wiązką jonową są wybierane ze względu na ich zdolność do wytwarzania powłok o wysokiej jakości, gęstych i gładkich powierzchniach. Technologia Ion Beam zapewnia wyjątkowo wszechstronne podejście do wytrawiania i osadzania, oferując jedno narzędzie i maksymalizując wykorzystanie systemu. Nasze systemy mają elastyczne opcje sprzętowe, w tym otwarte ładowanie, blokadę ładowania pojedynczego podłoża, a także kasety do załadunku większej ilości podłoży. Specyfikacja systemu jest ściśle dostosowana do konkretnej aplikacji, umożliwiając szybsze i powtarzalne wyniki procesu.

Główne cechy urządzenia:

  • funkcja wielu trybów,
  • zdolność do grupowania z innymi narzędziami do wytrawiania plazmowego i osadzania,
  • Mmożliwość zastosowania konfiguracji z podwójną wiązką jonów,
  • bardzo niska chropowatość powierzchni,
  • niezrównana jednorodność partii i odtwarzalność procesu,
  • dokładne wykrywanie punktu końcowego – SIMS.