Trawienie - Atomic Layer Etching (ALE)

ATOMIC LAYER ETCHING (ALE)

ALE (ang. Atomic Layer Etching) jest techniką usuwania cienkich warstw materiału, za pomocą kolejnych, samokontrolujących się reakcji. Trawienie warstw atomowych za pomocą plazmy to cykliczny proces trawienia polegający na dozowaniu gazu i bombardowaniu jonowym, który usuwa materiał warstwa po warstwie i ma potencjał usuwania pojedynczych warstw atomowych o bardzo niskim stopniu uszkodzenia.

Ze względu na zapotrzebowanie na tego typu metodę naukowcy przez ponad 25 lat pracowali nad jej ostatecznym dopracowaniem. Finalnie procesy ALE zostały określone i zoptymalizowane przez specjalistów aplikacyjnych firmy Oxford Instruments w połowie 2016 roku. Poskutkowało to natychmiastowym wprowadzeniem technologii na rynek aparaturowy. Obecnie ALE zaczyna cieszyć się coraz większą popularnością w Europie Zachodniej i Ameryce.

Jest doskonałą alternatywą dla ciągłego trawienia. Gwarantuje dokładność wytrawiania na poziomie atomowym, podobnie jak ALD (z ang. Atomaic Layer Deposition) w przypadku procesów osadzania.

ZALETY ALE

• ALE znajduje zastosowanie w trawieniu ultra cienkich warstw (sub nano / nano)
• Konwencjonalne suche trawienie wymaga ciągłej amorfizacji kilku warstw atomowych i reakcji chemicznych w tych warstwach
• ALE umożliwia wysoce selektywne, oraz praktycznie „nieniszczące” trawienie (wysoka selektywność i jednorodność powierzchni po trawieniu)

SI ALE

Trawienie krzemu wykorzystuje dwa niezależne, samokontrolujące się etapy procesu:

• wystawienie powierzchni Si na działanie niewielkiej kontrolowanej dawki Cl2
• usuwanie tylko SiClx z powierzchni poprzez bombardowanie jonami o niskiej energii