PECVD_webChemiczne osadzanie z fazy gazowej ze wspomaganiem plazmowym PECVD

Jest jedną z odmian CVD, bardzo atrakcyjną ze względu na niską temperaturę procesu, możliwość osadzania nierównowagowych faz oraz lepszą kontrolę nad stechiometrią i czystością pokryć.

Dzięki użyciu plazmy jesteśmy w stanie wzbudzić cząsteczki mieszaniny gazowej do energii zgodnej z energią jaką normalnie otrzymujemy przy pomocy wysokiej temperatury, bez konieczności silnego podgrzewania substancji. Korzyścią płynącą z tej techniki jest chociażby rozszerzenie zbioru materiałów, które chcemy pokrywać (materiały wrażliwe na wysokie temperatury).
Plazma generowana jest w polu elektrycznym między dwiema równoległymi płytkami, z których jedna jest katodą, a druga, na której znajdują się podłoża, jest uziemiona.

 

PlasmaPro 80 PECVD  PlasmaPro 800 PECVD PlasmaPro 100 PECVD PlasmaPro 1000 Stratum
Rozmiar elektrody 240mm 460mm 240mm 460mm
Załadunek Open Load Load locked
Podłoża prosimy o kontakt do 200mm z opcją nośników dla małych próbek lub wielu płytek do 450mm z opcją nośników dla małych próbek lub wielu płytek
Domieszki Nie wiele możliwości w tym: PH3, B2H6, GeH4
Prekursor cieczowy Nie Tak: TEOS
Linie gazowane sterowane MFC 4,8 lub 12 liniowa linia dostępna
Przełączenie RF dla kontroli naprężeń Tak
Zakres temperatur próbek 20°C do 400°C Standardowo 20°C do 400°C z opcją do 800°C
Czyszczenie plazmą insitu Tak