Współczesne przyrządy półprzewodnikowe wymagają dokładnego kontrolowanego stężenia domieszek, a to może być osiągnięte jedynie przez implantacje jonów, ze starannym Ion-implant_300xwyżarzaniem. Zwykle typ n wszczepia się do materiału typu p, lub vice versa. Implanty są monitorowane przez wszczepienie do płytek monitorujących, i są one sprawdzane po implantacji i po wyżarzaniu.

W naszej ofercie znajdują się:

ion implant map