ALE (z ang. Atomic Layer Etching) jest techniką usuwania cienkich warstw materiału, za pomocą kolejnych, samokontrolujących się reakcji. Ze względu na zapotrzebowanie na tego typu metodę, chociażby przez przemysł półprzewodnikowy, naukowcy przez ponad 25 lat pracowali nad jej ostatecznym dopracowaniem. Finalnie procesy ALE zostały określone i zoptymalizowane przez specjalistów aplikacyjnych firmy Oxford Instruments w połowie roku 2016. Poskutkowało to natychmiastowym wprowadzeniem technologii na rynek aparaturowy. Obecnie ALE zaczyna cieszyć się coraz większą popularnością w Europie Zachodniej jak również Ameryce. Stanowi bowiem doskonałą alternatywę dla ciągłego trawienia, gwarantująca dokładność wytrawiania na poziomie atomowym, tak jak ALD (z ang. Atomaic Layer Deposition) w przypadku procesów depozycji.

Zalety ALE:

  • ALE znajduje zastosowanie w trawieniu ultra cienkich warstw (sub nano / nano)
  • Konwencjonalne suche trawienie wymaga ciągłej amorfizacji kilku warstw atomowych i reakcji chemicznych w tych warstwach
  • ALE umożliwia wysoce selektywne, oraz praktycznie „nieniszczące” trawienie (wysoka selektywność i jednorodność powierzchni po trawieniu)

Si ALE

si-ale

Trawienie krzemu wykorzystuje dwa niezależne, samokontrolujące się etapy procesu:

  • wystawienie powierzchni Si na działanie niewielkiej kontrolowanej dawki Cl2
  • usuwanie tylko SiClx z powierzchni; poprzez bombardowanie jonami o niskiej energii

si-ale3

MoS2 (2d) ALE

mos2-ale

  • Małe przesunięcia pików co 3 cykle ALE.
  • 40 cykli ALE usuwa cały materiał (początkowa grubość 18 nm).

Przykładowe procesy:

SiO2 ALE

sio2-ale

AlGaN/ GaN ALE

algan

W celu uzyskania większej ilości informacji, zapraszamy do kontaktu.

Zespół Technolutions